零电容随机存储器

零电容随机存储器（，缩写：）是一种新型的动态随机存取存储器，是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应（）研发的。该技术已经被超微半导体（AMD）许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和静态随机存取存储器（SRAM，常在快取中应用）相似的存取速度，但是只使用了单一晶体管，因此能够提供更高的封装密度。

外部链接

• [http://www.innovativesilicon.com/technology_overview.php Technology Overview of Z-RAM]
• [https://web.archive.org/web/20070927193613/http://www.cieonline.co.uk/cie2/articlen.asp?pid=518&id=5434 No-capacitor DRAM doubles memory density]
• [https://web.archive.org/web/20060203031613/http://www.tgdaily.com/2006/01/24/amd_licenses_zram/ AMD licenses Z-RAM technology]
• [http://www.innovativesilicon.com/en/pdf/Z-RAM_LV_and_bulk_PR_Final_for_press.pdf SOI is not required anymore]